รูปทรานซิสเตอร์ต่างๆ
เป็นทรานซิสเตอร์ที่สร้างจากสารกึ่งตัวนำชนิด N ชนิด P และชนิด N มาต่อเรียงกันตามลำดับ แล้วต่อสายออกมา 3 สาย เพื่อเป็นขาต่อกับวงจรสารกึ่งตัวนำชนิด P ซึ่งอยู่ตรงกลางจะเป็นจุดร่วม สารกึ่งตัวนำชนิด N จะทำหน้าที่จ่ายอิเล็กตรอนซึ่งจะไหลเป็นกระแสในวงจรส่วนนี้เราเรียกว่า อิมิตเตอร์ อิเล็กตรอนจะเคลื่อนที่ผ่านสารกึ่งตัวนำชนิด P ซึ่งเราเรียกว่าเบสส่วนเบสนี้จะเป็นตัวคอยควบคุมอิเล็กตรอนให้ไหลไปยังสารกึ่งตัวนำชนิด N ถัดไปได้มากหรือน้อยอิเล็กตรอนส่วนที่ผ่านเบสมาก็จะเคลื่อนที่มายังสารกึ่งตัวนำชนิด N ซึ่งเราเรียกว่า คอลเลคเตอร์ และกลายเป็นกระแสไหลในวงจรภายนอกต่อไป
โครงสร้างและสัญลักษณ์ของทรานซิสเตอร์ชนิด NPN
1. ขาคอลเลคเตอร์ (Collector) เรียกย่อๆ ว่าขา C เป็นขาที่มีโครงสร้างในการโด๊ปสารใหญ่ที่สุด
2. ขาอิมิตเตอร์ (Emitter) เรียกย่อๆ ว่าขา E เป็นขาที่มีโครงสร้างใหญ่รองลงมาและจะอยู่คนละด้านกับขาคอลเลคเตอร์
3. ขาเบส (Base) เรียกย่อๆ ว่าขา B เป็นส่วนที่อยู่ตรงกลางระหว่าง C และ E มีพื้นที่ของโครงสร้างแคบที่สุดเมื่อเทียบกับอีก 2 ส่วน เมื่อจำแนกลักษณะการต่อตัวทรานซิสเตอร์จึงคล้ายกับการนำเอาไดโอด 2 ตัวมาต่อกัน
วิธีการทดลอง
การทดลองที่ 1 วงจรทดสอบการทำงานของทรานซิสเตอร์
ผลการทดลอง
I (mA) |
V (V) |
I (µA) |
h = |
I = I +I (mA) |
h = |
Just measurable |
0.66 |
--- |
--- |
--- |
--- |
1 |
--- |
3.7 |
270.27 |
1.0037 |
0.997 |
10 |
--- |
34.5 |
289.86 |
10.0345 |
0.997 |
สรุปผลการทดลอง
จากการทดลอง เมื่อป้อนแรงดันไฟฟ้ากระแสตรงให้วงจรตามค่าต่างๆที่กำหนดให้ ตัวทรานซิสเตอร์ก็เริ่มนำกระแส มีแรงดันตกคร่อม V 0.66V ที่กระแส I มีค่า 1 mA กระแส I จะมีค่า 3.7 µA และที่ กระแส I มีค่า 10 mA กระแส I จะมีค่า 34.5 µA แสดงว่า ถ้า I เพิ่มจะทำให้ I เพิ่มขึ้นตามอัตราขยายของทรานซิสเตอร์เบอร์นี้